SJT 10788-1996 电子元器件详细规范 3DG79型正向自动增益控制高频低噪声晶体管(可供认证用)
|
ID： |
76016D67861D47CBBAF00D93627D9186 |
|
文件大小(MB)： |
0.91 |
|
页数： |
18 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-28 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
cue UZLBロム I,zj3イキ人民共和国国家标准,GB 6353— 86,降为 SJ/T 10788-96,电子元器件详细规范,3DG 79型正向自动,增益控制高频低噪声晶体管,Detail specification for electronic component,Forward AGC low— noise transistor for,high- frequency amplification, Type 3 DG 79,（可供认证用）,1 986 05 03 发布1 987 0 1 0 1 试行,㈣宸标准局批准,中华人民共和国国家标准,电子元器件详细规范,3 DG 79型正向自动,增益控制高频低噪声晶体管,Detail specification for elect runic component,Forward AGC low noise transistor for,high - frequency amplification. Type 3 DG 79,（可供认证用）,本规范适用r 3 DG 79型正向白动增盜控制髙低噪声晶体管 M按照GB H2 17 31低ル";八ハ,环境额定的双极型晶体管 空白详细规范》制订的,符介GB 1936.1 85 aナ体分:f耕件总规,n类的要求,中国电F元器件质量认证委员会标准化机构是中国电广技术标准化研究所,国家标准局,电f兀器件质量评定是根据,GB 4936.1 — 85《半导体分立器件总规范》,GB 6蓊3一部,r*c,3 DG 79型正向自动增益控制高频低噪声晶体管,订货资料:见本规范第7章,ヤマ,国家标准局1986 05 03发布1 98 7 01 01试彳亍,GB 6 353— 86,机械说明,04.53 .4.95,2简略说明,半导体材料:硅单丒晶（N型）,封装:金属封装,应用：用アTV高频、中频低噪声放大正向,自动增益控制电路,I!类,本外形符介SJ 139 — 81《半导体三极管,外形尺寸》屮B — 1型（ウIEC 191 — 2（ 1966）,《半导体器件的机械标准化第:部分:尺,す》中B 12 + C 7 — 111 ）,参考数据,Pゆ 二 150 mW ( Tam厂 25 C ),Ic 二 15mA,终控 Kgc 6.5 V 3 DG 79A,6.2 V 3 DG79B,fr 400 MHz 3 DG 79 A,500 MHz 3 DG 79B,Gp 25 dB 3 DG 79 A,17 dB 3 DG 79 B,F 4 dB 3 DG 79B,按本详细规范鉴定合格的器件的有关制造单丒位的资料,可在现行的合格产品ー览表中,杏到、,4极限值（绝对最大额定值体系）,除振カ有规定,这旳极限值在整个「作温度范惘内适用,參数名称,（牀性曲线见イヾ规范第9单）,仆 じ,数侑,单位,最小個最大值,环境温度175 (,ザげ温度ェtR,Mr1,a 175 1,集电极- A极也出:,〇,GB 6353— 86,续表,参数タ称,（特性曲线见本规范第9章）,符 号,最大集电极ー魅极连续（直流）电ル,集电极ー发射极电压:,在棊极电流为零时的最大,集电极ー发射极连续（直流）电压,发射极一法极电I k ：,及大发肘极ー用极连续（白:流）セ小,最大集电极连续（直流）电流,耗散功率:,最咼有效（等效的）结温,耗散功率的绝对极限值,レB0,K LO,レ! BO,L,九,Mot,数 值,----------- ---------------- 单丒/,最小值 最大值,3 （?V,20,15,150,V,V,mA,(,mW,5电特性,对检验要求见本规范第8章,特性和条件,（见 GB 4936.1 —85 的第 4 章）,除非另有规定,北mL 25 c,数值,符号试验组別,ムと小值 以大什i,共发射极正向电流传输比的静态值,VtK - 10 V 黄,ムー 3 mA 绿,蓝,共发肘极正向电流传输比的静态值,kト)0V,1< (几 5mA,共发肘极正向电流传输比的超态值,ハロト,1(),60,90,2(),3(),15,8(),120,1X0,"、、,九年A 2 b,C 2 b,绿,蓝,C 2 b,k「1QV,/( 3 mA,i amb ?1,黄,绿,酰,价:III"频率,l< B 10 V Z, 3 mA,f loo MHz,3 DG 79 A,3 DG79B,以上电流,10￠),5￠)(),MHz,MHz,A 2 b,GB 6353-86,心性和条件:,（见 G B W 36% 1 - 85 的第丒 カ 章 ~）,除歩分仃规定.7嬴卜25 C,集电极一基极截1上电流,l；B 30 V,Il （）,集电极ー发射极截止电流,I" 20 V,岛温ド的截止电流,Ib - 0,集电极ー魅极截止电流,1( H,7、u mb,发射极,25 V ム:エ0,1]B,スし极,125 （、,甚极截1h电流,V I,发射极电压,0,续丧, JL k -tt- t 丒イ*^ イ,符サ,?1 _____ ________,数,最小值,9 h 9 V .,值,Ji 患 丒，し 1 ■ -J-J.,中位,最大值,()"后,J,ハ,试,验组别,ん 3( > m A 1,几极 发射极饱和セ小,A H)mA,/(i 1 mA,噪ホ系‘数,l；( 12V,1( 3 mA,f 20() MHz,3 DG 79 B,共ル极输出电容,VlB HW,A 0,(),0.],5 wA,0.1,1.2,1,C 2 b,A 2 b,A 2 b,A 2 b,dB A」,f I MHz,功率增裕……
……